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Si3424DV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.05
0.04
25 °C, unless otherwise noted
800
0.03
V GS = 4.5 V
600
C iss
0.02
V GS = 10 V
400
C oss
200
0.01
C rss
0.00
0
0
5
10
15
20
25
30
0
5
10
15
20
25
30
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
6
4
2
0
V DS = 15 V
I D = 6.7 A
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 10 V
I D = 6.7 A
0
3
6
9
12
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
100
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.05
0.04
0.03
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.02
0.01
0.00
I D = 6.7 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 71317
S09-0766-Rev. C, 04-May-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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